FLIT-MRAM通过利用日益普及的CXL基础设施，重新构思了DRAM解决方案的架构。将DRAM DDRx物理接口替换为CXL接口，使内存事务能够通过CXL的64字节FLIT有效负载与处理器的64字节缓存行匹配。
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下一代非易失性内存 : MRAM
所涵盖的非易失性内存技术包括各种类型的电阻式随机存取存储器（ReRAM）、磁性随机存储器（MRAM）、铁电随机存取存储器（FRAM）和相变存储器（PCM）
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