HBF 重塑 AI 推理：高带宽闪存技术详解
AI 浪潮正在重塑的不只是 GPU 架构。
随着大模型规模持续增长，AI 基础设施越来越受到内存容量、带宽、成本和功耗的限制。GPU 可以提供极高的计算吞吐，但如何持续、高效地向计算单元供应模型参数和推理数据，已经成为整个行业最棘手的工程问题之一。
这一挑战通常被称为 “内存墙”（Memory Wall）。
高带宽内存（HBM）已经成为高性能 AI 加速器解决这一问题的核心方案，但 HBM 的成本高、容量有限。相比之下，NAND 闪存拥有极高的存储密度和更低的单位容量成本，却长期受制于带宽、延迟以及传统存储接口，难以直接融入加速器的高速内存层级。
High Bandwidth Flash（HBF，高带宽闪存） 正试图填补这一空白。
HBF 将高密度 3D NAND 闪存与受到 HBM 启发的先进堆叠、封装和并行互连技术结合起来。它不再让 NAND 只是位于 PCIe 或传统 SSD 控制器之后的远端存储，而是试图将大容量闪存直接拉近计算引擎，同时大幅提升整体并行带宽。
因此，HBF 并不是 HBM 的替代品。
它更像是为快速增长的 AI 推理需求设计的一种全新内存层。
SK 海力士近期已经通过一种 HBM + HBF 混合架构展示了这一思路。该方案在英伟达 Blackwell 级 GPU 环境下进行模拟，由 8 组 HBM3E 和 8 组 HBF 组成，相比纯 HBM 配置，单位功耗性能最高提升 2.69 倍。
随着 SK 海力士、三星和闪迪加速研发、商业化和标准化进程，HBF 正快速从研究概念走向 AI 基础设施。
🧠 为什么 AI 需要新的内存层 #
现代 AI 系统面临的瓶颈并不只是 FLOPS。
大型模型需要大量内存来保存：
- 模型权重
- Attention 状态
- Key-Value Cache
- 中间激活值
- Embedding 表
- 推理数据
- 检索数据
这个问题在 AI 推理阶段尤其明显。
一个大模型可能需要数百 GB，甚至数 TB 的存储空间，而 AI 加速器又需要快速、持续地访问这些参数。
当前内存层级存在明显的断层：
最低延迟 / 最高成本
│
▼
寄存器
│
▼
SRAM Cache
│
▼
HBM
│
▼
DDR / 系统内存
│
▼
SSD / NAND
│
▼
最高容量 / 最低成本HBM 可以提供极高的带宽，但成本昂贵且容量有限。
SSD 则能够提供巨大的容量和较低成本，却距离计算流水线更远，并且带宽和延迟与 HBM 存在数量级差距。
HBF 的目标，就是占据两者之间的新位置。
高速计算
│
▼
HBM
低延迟 / 高速缓存
│
▼
HBF
高容量 / 高带宽
│
▼
SSD / NAND
超大容量 / 低成本它并不试图让 NAND 在所有维度上表现得像 DRAM，而是利用 NAND 极高的存储密度，同时将并行读取能力提升到足以让其更靠近 AI 计算核心。
⚡ HBF 如何实现高带宽闪存 #
HBF 的核心包含两个关键概念：3D NAND 高密度堆叠和大规模并行访问。
传统 NAND 本身已经采用高度垂直集成的结构，在单颗器件内部可以堆叠数百层 3D NAND 存储单元。
HBF 则进一步利用先进封装技术，将多个 NAND Die 进行高密度堆叠，并采用类似 HBM 的高速互连方式。
HBM 式垂直堆叠 #
第一个核心思路来自 HBM。
传统存储设备通常依赖有限数量的外部通道连接多个存储封装，而 HBF 则通过垂直堆叠多个 Die 来提升集成密度，并缩短芯片内部的数据传输路径。
概念上可以表示为：
传统 NAND / SSD 架构
Controller ── Channel ── NAND Package
│
└──── NAND Package
│
└──── NAND Package
HBF 架构
┌───────────────┐
│ NAND Die │
├───────────────┤
│ NAND Die │
├───────────────┤
│ NAND Die │
├───────────────┤
│ NAND Die │
└───────────────┘
高密度互连垂直集成可以提升封装密度，并为更宽的数据通路建立物理基础。
但仅仅堆叠 NAND Die 并不能解释 HBF 的带宽潜力。
真正关键的是 NAND 阵列的并行访问方式。
大规模并行 Sub-Array 架构 #
传统 NAND 的并行能力受到通道数量以及内部访问结构的限制。
HBF 则尝试将闪存核心划分为大量可以独立工作的存储 Sub-Array。
不同 Sub-Array 可以并行执行读取和写入操作。
其核心架构可以简化为：
传统 NAND
Controller
│
有限通道数量
┌────┼────┐
▼ ▼ ▼
Die Die Die
HBF
宽并行接口
┌────┬────┬────┬────┬────┐
▼ ▼ ▼ ▼ ▼ ▼
Sub Sub Sub Sub Sub Sub
Array Array Array Array Array
│ │ │ │ │ │
▼ ▼ ▼ ▼ ▼ ▼
NAND 并行操作这使 NAND 从主要围绕容量优化的存储介质，逐渐转向一种高度并行的数据源。
HBF 的目标并不是实现 DRAM 的所有特性。
它真正要做的是利用 NAND 的超高密度，同时通过大规模并行读取，提高聚合吞吐量，使 NAND 可以更靠近 AI 加速器。
📊 HBF 与 HBM：容量与延迟的取舍 #
HBF 和 HBM 解决的是不同问题。
当 AI 加速器需要极低延迟、高写入性能以及可预测的高速访问时，HBM 依然是更合适的技术。
HBF 则牺牲部分延迟和写入能力，换取更大的容量以及更低的单位容量成本。
| 特性 | HBM | HBF |
|---|---|---|
| 存储技术 | DRAM | 3D NAND 闪存 |
| 核心优势 | 低延迟、极高带宽 | 高容量、高并行带宽 |
| 容量 | 相对有限 | 潜力显著更高 |
| 单位 GB 成本 | 高 | 潜力更低 |
| 读取性能 | 极高 | 针对高吞吐读取优化 |
| 写入性能 | 极高 | 更受限制 |
| 写入耐久度 | 适合高频内存访问 | 相比 DRAM 更有限 |
| 延迟 | 极低 | 高于 HBM |
| AI 主要角色 | 活跃计算与高速缓存 | 模型存储和读取密集型推理 |
| 与对方关系 | — | HBM 的补充方案 |
因此，理解 HBF 的关键就在于这一点：
HBF 并不是要取代 HBM，而是要扩大 AI 系统可使用的高速大容量内存空间。
🔥 为什么 HBF 特别适合 AI 推理 #
AI 推理与 AI 训练具有明显不同的内存访问特征。
训练阶段会持续更新模型参数，因此需要大量读写操作。
推理阶段则更加偏向读取。训练完成后的模型权重通常保持不变，而推理过程会反复访问这些权重。
这种访问模式与 NAND 的特点天然匹配。
读取密集型工作负载更适合 NAND #
模型加载完成后，其权重通常不会频繁修改。
典型流程可以表示为：
加载模型
│
▼
读取模型参数
│
▼
执行推理
│
▼
再次读取参数
│
▼
生成输出这降低了 NAND 写入限制的重要性。
相关方案中提到 HBF 的写入耐久度约为 100,000 次循环。虽然相比 DRAM 仍然存在明显限制，但对于以读取为主、模型权重相对静态的 AI 推理场景而言，这种特性可能是可以接受的。
因此，软件必须理解底层内存层级。
AI Runtime 不能简单地把 HBF 当成无限容量的 DRAM 使用。
数据放置策略需要考虑：
- 读取频率
- 写入频率
- 访问局部性
- 延迟敏感程度
- 带宽需求
- 写入耐久度
🧩 H³ 混合内存架构 #
SK 海力士提出的一个重要方向，是将 HBM 与 HBF 放在 GPU 附近组成混合内存架构。
这一方案被称为 H³，本质上代表一种异构高带宽内存层级。
相关 IEEE 研究中的架构包含：
- 8 组 HBM3E
- 8 组 HBF
- 基于 Nvidia Blackwell B200 的 GPU 模拟环境
两种内存分别承担不同职责。
AI 加速器
│
┌─────────┴─────────┐
▼ ▼
HBM HBF
低延迟内存层 高容量内存层
│ │
▼ ▼
活跃工作数据 模型参数
高频访问数据 大规模数据
延迟敏感数据 容量扩展HBM 充当高速工作内存。
HBF 则提供更大的模型和数据存储空间。
相关模拟结果显示，相比纯 HBM 配置，该架构的单位功耗性能最高可提升 2.69 倍。
实际收益当然会高度依赖具体工作负载和内存管理策略，但这一结果证明了异构内存体系对于 AI 推理具有明显潜力。
🏢 数据中心推理与边缘 AI #
HBF 的应用范围可能覆盖 AI 基础设施的两个方向。
数据中心中的容量扩展 #
在数据中心中，最直接的用途是扩展 AI 加速器能够访问的有效内存容量。
并不是所有模型参数都必须放入昂贵的 HBM。
一种更合理的架构是：
- 将延迟敏感、频繁访问的数据放入 HBM
- 将大规模、读取密集型的数据放入 HBF
- 将冷数据和长期数据放入 SSD
这样可以形成分层的加速器存储体系：
GPU 计算
│
▼
┌───────────────┐
│ HBM │
│ 活跃 / 热数据 │
│ 高频访问数据 │
└───────┬───────┘
│
▼
┌───────────────┐
│ HBF │
│ 模型权重 │
│ 大容量 / 温数据 │
└───────┬───────┘
│
▼
┌───────────────┐
│ SSD / Storage │
│ 冷数据 / 归档 │
└───────────────┘这种架构可以让 AI 加速器访问更大的模型，而不需要按相同比例增加昂贵的 HBM 容量。
边缘 AI #
HBF 同样适合边缘推理。
边缘 AI 通常运行已经训练完成的模型，这些模型在实际部署过程中并不会频繁修改。
这与 HBF 的优势高度匹配：
- 高读取带宽
- 大容量
- 更低的单位容量成本潜力
- 相对较低的功耗
潜在应用包括：
- 边缘 AI 推理服务器
- AI 一体机
- 机器人系统
- 自动驾驶与自主系统
- 企业 AI 设备
- 私有 AI 部署
如果大型模型可以直接存储在靠近本地计算的位置，企业对远程云端推理的依赖也可能进一步降低。
🚧 HBF 商业化面临哪些挑战 #
HBF 的概念非常有吸引力，但真正实现商业化远不只是把 NAND Die 堆叠起来。
NAND 与 DRAM 在底层工作方式上存在根本差异。
HBF 需要同时解决：
- 高密度互连
- 封装散热
- 信号完整性
- 并行访问调度
- 地址转换
- 写入管理
- 写入耐久度
- ECC
- 控制器设计
- 内存一致性
- 软件数据放置
NAND 的地址访问粒度不同 #
其中一个重要挑战来自 NAND 较粗粒度的访问机制。
DRAM 从设计之初就针对高频、细粒度随机访问进行了优化。
NAND 则围绕 Page 和 Block 等更粗粒度的数据结构运行，同时存在复杂的 Program 和 Erase 行为。
因此，HBF 控制器和软件栈需要在 AI 加速器的访问模型与底层 NAND 机制之间建立抽象层。
AI 加速器访问
│
▼
细粒度内存请求
│
▼
HBF Translation Layer
│
▼
NAND 并行 Sub-Array
│
▼
Pages / Blocks / Flash Cells系统必须同时向加速器提供足够高的带宽，并在底层高效管理 NAND 的固有特性。
写入耐久度要求软件协同 #
写入耐久度是另一个基础限制。
HBF 不适合被当作普通 Scratchpad，持续写入大量动态数据。
更加合理的数据放置方式可能是：
频繁修改的数据
│
▼
HBM
高频读取、低频修改的数据
│
▼
HBF
持久化 / 冷数据
│
▼
SSD / Storage因此，HBF 能否成功商业化，部分取决于 AI Runtime 是否能够真正理解异构内存。
仅靠硬件无法解决 Memory Wall。
软件栈同样必须知道数据应该存在哪里。
📈 HBF 的容量与带宽潜力 #
HBF 最重要的优势之一就是容量。
相关方案预计 HBF 单个器件的容量可以达到约 512 GB，明显高于这里引用的 HBM4 64 GB 级别容量。
与此同时，HBF 的带宽也有望远高于传统 SSD。
目前公布的相关设计目标已经超过 1,638 GB/s。
这并不意味着 HBF 就等同于 HBM。
带宽只是内存性能的一项指标。延迟、访问粒度、写入行为以及软件开销同样重要。
不过，这些数字很好地解释了为什么 HBF 正受到 AI 行业关注。
传统 SSD
│
│ 超大容量
│ 较低带宽
▼
HBF
│
│ 超大容量
│ 高并行带宽
▼
HBM
│
│ 较低容量
│ 极高带宽
│ 极低延迟
▼HBF 因此创造了一个新的容量与性能平衡点。
🏭 HBF 正从研究走向商业化 #
HBF 的研发速度正在明显加快。
SK 海力士、三星和闪迪正在通过存储芯片、先进封装、控制器以及生态合作共同推进这项技术。
闪迪计划在 2026 年下半年提供 HBF 样品，而面向 AI 推理的首批 HBF 产品预计在 2027 年初进入市场。
SK 海力士同样计划在 2026 年下半年推出试用版本，而主要厂商的商业 HBF 产品预计将在 2027 年逐步出现。
目前的商业化时间线大致可以表示为：
| 时间 | 预期进展 |
|---|---|
| 2026 年下半年 | 初期 HBF 样品和试用产品 |
| 2026 年起 | 架构验证与生态建设 |
| 2027 年初 | 首批 AI 推理 HBF 产品 |
| 2027 年 | 更广泛的商业 HBF 产品 |
与此同时，行业也在推动 HBF 标准化。
这一点非常重要。
如果不同厂商采用完全不同的接口、封装、控制器和软件体系，HBF 很难成为真正的 AI 基础设施标准。
未来需要建立跨产业链的兼容生态，包括：
- 存储芯片厂商
- AI 加速器厂商
- 先进封装厂商
- 控制器厂商
- 服务器厂商
- AI Runtime 开发者
🔮 HBF 与 Memory-Centric AI 的未来 #
过去数年，AI 加速器的发展重点主要集中在提升计算吞吐量。
但随着模型规模不断扩大，计算能力越来越容易受到内存容量和数据移动效率的限制。
如果 GPU 无法及时获得模型参数，那么再高的计算单元吞吐量也无法得到充分利用。
这正是 AI 基础设施开始采用更加专用化内存架构的原因。
HBM 主要解决带宽问题。
HBF 则试图解决容量问题，同时保留高并行带宽。
未来的 AI 内存体系可能并不是由某一种技术统一完成，而是形成更加复杂的异构内存层级：
最高速 / 最高成本
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▼
On-Chip SRAM
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▼
HBM
│
▼
HBF
│
▼
SSD / NAND
│
▼
最低速 / 最高容量每一层负责不同的任务。
真正的挑战将变成：
如何在正确的时间，把正确的数据放到正确的内存层。
这正是 Memory-Centric AI 的核心。
🚀 HBF 不会取代 HBM，而是扩展 AI 内存 #
理解高带宽闪存最重要的一点，就是不要把 HBF 看成一种廉价版 HBM。
两者的目标完全不同。
HBM 仍然适合极低延迟、高频写入和最大化计算核心附近带宽的工作负载。
HBF 则瞄准昂贵的加速器内存与传统存储之间巨大的空白区域。
通过结合 3D NAND 的高密度存储能力、先进垂直堆叠以及大规模并行访问，HBF 有望为 AI 系统提供一种全新的高容量内存层，让更大的模型能够以更高带宽直接靠近计算引擎。
对于 AI 推理而言，这种组合尤其具有吸引力。
模型规模不断扩大，而推理阶段主要以读取模型参数为主；与此同时，无限制地增加 HBM 容量的成本正在快速上升。
因此，未来很可能形成一种更加明确的分工：
HBM 负责速度，HBF 负责容量，SSD 负责持久化存储。
如果行业能够解决 NAND 地址访问、写入耐久度、先进封装、互连以及软件内存管理等问题，HBF 很可能成为未来 AI 内存体系中的重要一层。
Memory Wall 不会因此消失。
但 HBF 有可能在这堵墙上增加一个全新的台阶，让 AI 加速器拥有更大的模型空间和更高效的数据访问路径。
